Micron планує збільшити виробництво HBM до 100 000 одиниць на місяць до кінця року

Марс Файнанс, за повідомленням електронних новин від 3 вересня, Micron планує подвоїти виробничу потужність HBM (високопропускної пам’яті) порівняно з минулим роком, додавши до кінця цього року до 60 000 валиків на місяць. За інформацією осіб, знайомих із ситуацією, у минулому році виробництво HBM Micron становило приблизно 40 000–50 000 валиків на місяць, і до кінця року очікується досягти рівня приблизно 100 000 валиків на місяць, щоб скоротити розрив із Samsung Electronics та SK Hynix. Micron збільшує замовлення на обладнання для HBM від кількох постачальників, основні виробничі потужності розташовані на підприємствах у Тайвані та Сингапурі, і продовжує впроваджувати нове обладнання. Поточний обсяг виробництва переважно складає HBM3E з 12 шарами; на початку цього року частка HBM4 з 12 шарами становила приблизно 20–30%, а до кінця року може зростати до 50%. HBM4 з 12 шарами буде використовуватися в останньому AI-акселераторі NVIDIA Vera Rubin, а Micron почала серійне виробництво цього продукту з другого кварталу цього року. Генеральний директор Micron Мехротра у червні цього року на зустрічі з інвесторами щодо результатів третього кварталу фінансового року 2026 зазначив, що швидкість масштабування серійного виробництва HBM4 з 12 шарами становить приблизно подвоєну швидкість порівняно з HBM3E з 12 шарами, а загальний дохід від поставок HBM4 вже перевищив 1 мільярд доларів США. Галузеві експерти вважають, що потужності Samsung та SK Hynix у сфері HBM становлять приблизно 150 000–200 000 валиків на місяць. Дані Counterpoint показують, що у другому кварталі цього року частка ринку HBM становила: SK Hynix — 50%, Samsung — 32%, Micron — 18%. Micron також підготоовлює інвестиції в Хіросімі, Японія.