ซัมซุงกำลังพัฒนา HBM4E 8 ชั้นสำหรับ NVHBM ของ NVIDIA

ข่าวจาก Huoxing Caijing รายงานว่าเมื่อวันที่ 28 สิงหาคม ตามรายงานของ Seoul Economic Daily ซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์กำลังพัฒนาผลิตภัณฑ์ HBM4E แบบ 8 ชั้นตามข้อกำหนดของ NVIDIA เพื่อใช้ในหน่วยความจำความกว้างแบนด์วิธแบบกำหนดเอง NVHBM ของ NVIDIA แนวทางนี้ลดจำนวนชั้นการซ้อนทับจากที่ซัมซุงเคยเตรียมไว้ที่ 12 และ 16 ชั้น โดย NVIDIA ตั้งเป้าหมายความเร็วที่ 17 ถึง 18 Gbps เพิ่มขึ้นประมาณ 20% จากตัวอย่าง HBM4E รุ่นแรกของซัมซุงที่อยู่ที่ 14.4 Gbps การออกแบบแบบ 8 ชั้นช่วยลดความซับซ้อนในการลดความหนาของวเฟอร์ การซ้อนทับอย่างแม่นยำ และกระบวนการแพ็คเกจด้านหลัง ลดแรงกดดันด้านอัตราการผลิตที่ผ่านการตรวจสอบ และเพิ่มขีดความสามารถในการจัดหา ส่วน NVHBM อาจเริ่มใช้งานตั้งแต่ GPU AI Rubin Ultra ที่คาดว่าจะเปิดตัวในปีหน้า โดยขนาดการเชื่อมต่อ GPU ของ Rubin Ultra จะเพิ่มจากปัจจุบัน 72 ตัวเป็นสูงสุด 576 ตัว เพื่อชดเชยปริมาณหน่วยความจำต่อ GPU เดียวที่ลดลงด้วย GPU ความเร็วสูงจำนวนมากขึ้น ซัมซุงมีความสามารถในการออกแบบและผลิต DRAM, ชิปโลจิก และพื้นฐานดิบ (bare die) จึงสามารถให้บริการแบบครบวงจรสำหรับ HBM แบบกำหนดเอง ผู้เชี่ยวชาญในอุตสาหกรรมเชื่อว่าซัมซุงได้แสดงให้เห็นถึงความเร็วในการส่งข้อมูลที่สูงใน HBM4 และเมื่อ NVIDIA เปลี่ยนจุดเน้นการแข่งขันจากจำนวนชั้นซ้อนทับสูงไปเป็นความเร็วในการส่งข้อมูล การแข่งขันด้านความสามารถของซัมซุงอาจได้รับความสนใจมากขึ้น