RE: A afirmação de que a TSMC entrará no mercado de memória e perturbará os três grandes fabricantes de memória Isso não faz sentido. Até onde sei, a TSMC vem trabalhando nesse projeto há mais de cinco anos, mas seria um erro assumir que o que eles estão construindo é DRAM commodity. A TSMC não possui IP de DRAM, nem patentes de DRAM, nem nenhuma das tecnologias relevantes. Acho que o termo "3D DRAM" é o que está causando o mal-entendido. Após conversar com especialistas da indústria, acredito que esta é a forma correta de interpretar os relatos sobre a entrada da TSMC no DRAM. As pesquisas anteriores publicadas pela TSMC dão uma boa ideia da direção. No VLSI Symposium de 2025, a TSMC apresentou uma tecnologia de memória baseada em semicondutores óxidos, utilizando uma célula composta por um transistor e um capacitor (1T1C). O objetivo era integrar essa memória em chips lógicos avançados e fornecer aos processadores uma cache com baixo consumo de energia e baixa latência. A característica-chave do design é que a matriz de memória é construída diretamente nas camadas de interconexão do final da linha (BEOL) do chip lógico. O DRAM convencional é fabricado como um chip separado. Para construir a matriz de memória nas camadas de interconexão de um chip lógico avançado, a TSMC utilizou transistores de seleção com canal de semicondutor óxido e capacitores fabricados com processo de baixa temperatura. Segundo a TSMC, o chip de teste, que integra memória e lógica em um único die, operou a 0,75V. A retenção de dados excedeu 128 ms, o tempo de ciclo de leitura/escrita aleatória foi inferior a 8 ns e a endurance foi superior a 10¹⁴ ciclos. A TSMC posicionou a tecnologia como uma cache de processador que oferece maior densidade que a SRAM, mantendo baixo consumo de energia e latência. Portanto, a TSMC estaria produzindo 3D DRAM como uma tecnologia de próxima geração para substituir a SRAM. E não em grandes volumes, também. Qualquer pessoa que diga que a TSMC produzirá DDR ou LPDDR não tem ideia do que está falando.