SK Hynix lança P&D de DRAM empilhado 3D para armazenamento de Edge AI

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A SK Hynix está avançando na P&D de DRAM empilhado 3D para armazenamento de IA de borda, em parceria com a MetaEra. A empresa está contratando engenheiros de design nos EUA e planeja co-desenvolver a tecnologia com clientes. Esta notícia on-chain destaca uma tendência chave nas notícias de IA + cripto, pois a memória empilhada está pronta para impulsionar a IA de borda na era pós-IA generativa. Os stacks de memória são diretamente integrados aos chips de lógica, visando aumentar o desempenho dos dispositivos de IA de próxima geração.
ME AI Notícia: SK Hynix está acelerando o desenvolvimento da próxima geração de tecnologia DRAM, considerada voltada para IA de borda — DRAM empilhado em 3D. Segundo informações, a empresa já iniciou um plano de contratação de talentos e planeja colaborar com clientes nos EUA no design conjunto dessa tecnologia. O design de DRAM empilhado em 3D é uma tecnologia semicondutora da próxima geração, na qual chips de memória são empilhados diretamente sobre semicondutores lógicos (semicondutores de sistema). A indústria espera que, na era da IA física após a IA generativa, essa tecnologia se torne a solução semicondutora central para dispositivos de IA de borda. Recentemente, a SK Hynix está recrutando engenheiros de design de DRAM empilhado em 3D por meio de sua filial americana em San Jose, para avançar no desenvolvimento dessa tecnologia. Clique no link original abaixo para se juntar ao canal Beating · Feishu AI News e monitorar 24/7 as tendências e notícias globais sobre IA. (Fonte: BlockBeats)
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