ChainCatcher noticia que, em 9 de setembro, a SK Hynix afirmou que o desenvolvimento do próximo-generation de memória 3D DRAM pode aproveitar processos de fabricação contratada. No dia anterior, durante o 2026 SK Hynix Future Forum realizado no centro Supex do parque de Hwasung, os vice-presidentes Kim Kyung-hoon e Son Ho-young apresentaram as principais diretrizes técnicas para o 3D DRAM, incluindo o uso de processos de fabricação lógica para os circuitos periféricos do DRAM, maximização da largura de banda do barramento de dados e transmissão em distâncias ultracurtas. O 3D DRAM é uma próxima geração de DRAM que empilha verticalmente as unidades de memória originalmente dispostas em plano para aumentar a densidade de integração. Ambos destacaram que, além dos desafios de design e dissipação de calor, a implementação dessa tecnologia também exige a resolução simultânea de problemas na área de empacotamento, como interconexões microscópicas, ligação e integração de processos. Com a convergência das fronteiras entre as etapas de frente e trás do empacotamento, bem como entre tecnologias de fabricação contratada e memória, a otimização conjunta além dos domínios tradicionais tornar-se-á ainda mais importante. Son Ho-young afirmou que a tecnologia 3D está redefinindo as fronteiras entre fábricas de wafers e empacotamento, exigindo a criação de novos sistemas de otimização e colaboração que ultrapassem os limites atuais, em conjunto com inovações em empacotamento avançado. O professor Shin Chang-hwan da Universidade Korea, que também apresentou sobre o mesmo tema, afirmou que o 3D DRAM não é apenas o empilhamento vertical de chips, mas uma tecnologia que dissolve as fronteiras entre memória e lógica; com a miniaturização dos dispositivos se aproximando dos limites físicos e o aumento do tempo e consumo energético decorrente da movimentação de dados entre sistema e memória, a transição para tecnologias 3D torna-se inevitável, propondo um framework de design 3D integrado que conecte materiais, dispositivos, empacotamento e arquitetura por meio da inteligência artificial. O presidente da SK Hynix, Kwon No-jin, afirmou em seu discurso que, no passado, o mercado de memória era como uma pista reta onde quem corria mais rápido vencia; agora, é como uma pista com curvas em constante mudança, onde além das capacidades internas, é igualmente importante compreender a velocidade e direção das mudanças externas e adaptar-se com flexibilidade.
SK Hynix explora o desenvolvimento de DRAM 3D usando processos de foundry
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A SK Hynix apresentou planos de desenvolvimento de DRAM 3D no 2026 Future Forum, com foco em processos de foundry para circuitos periféricos, links de barramento de dados de alta velocidade e transmissão ultra-curta. Os desafios incluem interconexões finas e bonding. Son Ho-young afirmou que a tecnologia 3D está borrando as fronteiras entre wafer e embalagem, impulsionando nova colaboração compatível com CFT. O professor Shin observou que o DRAM 3D pode impulsionar ativos risk-on ao conectar IA, materiais e arquitetura.
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