SK Hynix acelera a produção de DRAM 1c, superando a Samsung até o Q4

Notícia da ME, 7 de setembro (UTC+8): A SK Hynix está acelerando o aumento da participação da produção de DRAM de sexta geração (1c) na escala de 10 nanômetros. Segundo fontes do setor, a SK Hynix acelerou a transição no segundo semestre, podendo alcançar cerca de 34% no quarto trimestre, superando a Samsung Electronics, que está em torno de 31%. Durante a conferência de resultados do segundo trimestre, a SK Hynix afirmou que a oferta de DRAM com o processo 1c começou efetivamente no segundo trimestre e, no segundo semestre, o crescimento em bits será superior ao do primeiro semestre, impulsionado pelo aumento da produção de HBM4 e pelas expedições crescentes de DRAM genérico 1c. A Samsung Electronics adotou DRAM 1c a partir do HBM4, com velocidade de operação de aproximadamente 11,7 Gbps; anteriormente, a SK Hynix priorizou a estabilidade da produção em massa utilizando DRAM 1b validado e embalagem avançada MR-MUF, e pela primeira vez introduzirá o DRAM 1c como chip central para HBM a partir da próxima geração HBM4E. Estimativas da Counterpoint Research e outras indicam que, em 2024, as participações de mercado de HBM4, sob a perspectiva combinada da NVIDIA, Google e AMD, serão de aproximadamente 50% no meio para a SK Hynix, 20% no final para a Samsung Electronics e 10% no final para a Micron. (Fonte: ChainCatcher)