Samsung apresenta BV-NAND e zHBM para IA, afirma 10x de densidade em relação ao HBM5

iconKuCoinFlash
Compartilhar
AI summary iconResumo
A Samsung revelou suas soluções de memória BV-NAND e zHBM na Future Memory Summit, direcionadas a aplicações de IA com 10x de densidade em relação ao HBM5. O protótipo BV-NAND, baseado no MetaEra, utiliza tecnologia de união de wafer com mais de 400 camadas, oferecendo 58% mais densidade e desempenho mais rápido que o V9 NAND. Os conceitos zHBM e zNAND-O empilham a memória verticalmente nos chips de IA para aumentar a largura de banda e a eficiência. Com o índice de medo e ganância mostrando otimismo cauteloso, altcoins para acompanhar podem se beneficiar desses avanços de hardware. A Samsung afirma 3x melhor eficiência energética e 50% menor resistência térmica.
ME AI mensagem, a Samsung Electronics apresentou seu protótipo de V10 Bonding V-NAND, denominado BV-NAND, na Future Memory & Storage (FMS), realizada em Santa Clara, Califórnia, EUA. O chip possui mais de 400 camadas e utiliza uma nova arquitetura de ligação de wafer para aumentar a densidade de armazenamento e melhorar o desempenho. A Samsung afirma que sua tecnologia BV-NAND aumenta a densidade de armazenamento em cerca de 58% em comparação com a anterior V9 NAND, além de melhorar o desempenho de leitura, gravação e entrada/saída para atender à crescente demanda por soluções de armazenamento de maior capacidade e maior eficiência energética para sistemas de inteligência artificial. A Samsung também apresentou modelos conceituais do que chama de primeiro zHBM e zNAND-O do setor. Essa tecnologia armazena mais dados em espaço menor por meio da pilha vertical de unidades de armazenamento. Diferentemente da abordagem tradicional de empacotar HBM ao lado do processador de IA, o zHBM da Samsung empilha verticalmente o armazenamento sobre o acelerador de IA, reduzindo a distância de transmissão de dados, aumentando a largura de banda e melhorando a eficiência energética. A Samsung afirma que sua tecnologia de ligação de wafer pode alcançar densidade de armazenamento mais de 10 vezes superior à da memória HBM5 tradicional, ao mesmo tempo em que melhora a eficiência energética em três vezes e reduz a resistência térmica em mais da metade. (Fonte: BlockBeats)
Fonte:Mostrar original
Aviso legal: as informações nesta página podem ter sido obtidas de terceiros e não refletem necessariamente os pontos de vista ou opiniões da KuCoin. Este conteúdo é fornecido apenas para fins informativos gerais, sem qualquer representação ou garantia de qualquer tipo, nem deve ser interpretado como aconselhamento financeiro ou de investimento. A KuCoin não é responsável por quaisquer erros ou omissões, ou por quaisquer resultados do uso destas informações. Os investimentos em ativos digitais podem ser arriscados. Avalie cuidadosamente os riscos de um produto e a sua tolerância ao risco com base nas suas próprias circunstâncias financeiras. Para mais informações, consulte nossos termos de uso e divulgação de risco.