A Samsung Electronics está apostando que as máquinas mais caras já construídas para a fabricação de chips lhe darão uma vantagem decisiva nas guerras de memória. A empresa anunciou uma parceria estratégica aprimorada com a ASML em 8 de setembro de 2026, comprometendo-se a implementar a litografia High-NA EUV na produção em massa de DRAM até 2028.
Se a Samsung atingir esse objetivo, será a primeira vez que qualquer fabricante de chips utiliza a tecnologia High-NA EUV no setor de DRAM.
O que realmente significa High-NA EUV
A litografia EUV, ou litografia de ultravioleta extremo, é a tecnologia que imprime padrões de circuitos incrivelmente minúsculos em wafers de silício usando luz com comprimento de onda de apenas 13,5 nanômetros. “High-NA” refere-se a uma abertura numérica maior no sistema de lentes — aumentando de 0,33 para 0,55 — o que permite que a máquina imprima padrões ainda mais finos com melhor resolução.
O benefício prático para a DRAM: menos etapas de fabricação, padrões de circuito mais apertados e melhor eficiência. O EUV de alta-NA facilita capacidades de exposição única, simplificando o complexo multi-padrão anteriormente exigido pelos equipamentos EUV mais antigos.
Essas máquinas não são baratas. Cada ferramenta High-NA EUV custa entre US$ 350 milhões e US$ 400 milhões.
O deslocamento da máscara fotônica de 12 polegadas
Além do compromisso de EUV mencionado no título, a Samsung também participará de uma iniciativa liderada pela ASML para desenvolver máscaras fotolíticas de 12 polegadas, substituindo o formato de 6 polegadas que é padrão da indústria há décadas.
As máscaras fotolíticas são essencialmente os estênceis usados para transferir projetos de circuitos para discos de silício. A transição para máscaras de 12 polegadas deve aumentar a produtividade de fabricação em aproximadamente 40%.
Por que DRAM antes dos chips de lógica
A empresa não planeja usar EUV de alta NA para suas operações de lógica e foundry até por volta de 2030, quando espera alcançar nós de processo da classe 1nm. No entanto, ela visa 2028 para DRAM.
O CEO da Samsung, Young Hyun Jun, apresentou a parceria em termos explicitamente centrados em IA, afirmando que a inovação tecnológica em toda a cadeia de valor dos chips é essencial na era da IA.
O que isso significa para o cenário dos semicondutores
O anúncio da Samsung exerce pressão sobre os rivais SK Hynix e Micron Technology, as outras duas empresas do oligopólio de DRAM que controlam coletivamente a grande maioria do fornecimento global de DRAM. Para a ASML, a parceria valida a viabilidade comercial de sua linha de produtos mais avançada. A ASML é o único fornecedor mundial de equipamentos de litografia EUV.
A TSMC está visando uma implementação em 2030 para nós avançados semelhantes, enquanto a Intel já iniciou aplicações limitadas da tecnologia High-NA EUV. Para investidores que acompanham a cadeia de suprimentos de semicondutores, a métrica-chave a ser monitorada não é o anúncio em si, mas a trajetória dos gastos em capital da Samsung nos próximos dois anos. Pedidos de ferramentas High-NA EUV, atualizações de instalações e gastos com desenvolvimento de máscaras fotolíticas servirão como indicadores antecipados de se o prazo de 2028 está no caminho certo.