ChainCatcher relata que a Samsung Electronics planeja concluir o desenvolvimento da tecnologia avançada de empacotamento 3D Cube-H no início de 2027, bem como finalizar o primeiro conjunto de design, seguido pela avaliação com clientes potenciais. Essa tecnologia utiliza ligação híbrida para empilhamento vertical de chips, voltada principalmente para semicondutores de IA de alto desempenho, podendo ser usada para empilhar chips lógicos como GPUs ou integrar chips lógicos em chips de memória como HBM. A Samsung Electronics já desenvolveu anteriormente o 3D Cube-T, que utiliza ligação por termocompressão, e atualmente está avançando no 3D Cube-H com um espaçamento de terminais de aproximadamente 6 micrômetros, enquanto o espaçamento mínimo de terminais em chips com ligação por termocompressão é de cerca de 25 micrômetros. A ligação híbrida, ao conectar diretamente o cobre entre os chips, permite reduzir o espaçamento dos terminais, aumentar a densidade de conexão e diminuir o consumo de energia por bit, além de apresentar características de dissipação de calor distintas das soluções de ligação por termocompressão.
Samsung concluirá o desenvolvimento do 3D Cube-H até o início de 2027
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Resumo
Samsung concluirá o desenvolvimento da tecnologia 3D Cube-H até início de 2027, junto com um kit de design. A tecnologia utiliza ligação híbrida para empilhar chips verticalmente, voltada para semicondutores de alta performance para IA. Pode empilhar chips de lógica, como GPUs, ou combiná-los com memória HBM. A Samsung anteriormente desenvolveu a 3D Cube-T com ligação por compressão térmica. Agora, a 3D Cube-H oferece um passo de terminal de 6 micrômetros, reduzido de 25 micrômetros. A ligação híbrida conecta cobre diretamente entre os chips, melhorando a densidade, reduzindo o consumo de energia e aprimorando o desempenho térmico. Esse desenvolvimento está alinhado às tendências crescentes de notícias de IA + cripto.
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