A Samsung desenvolve um HBM4E de 8 camadas para o NVHBM da NVIDIA, visando uma parceria estratégica

ChainCatcher relata, segundo o Seoul Economic Daily, que a Samsung Electronics está desenvolvendo um produto HBM4E (sétima geração) de 8 camadas, em conformidade com os requisitos da NVIDIA, para se tornar parceira central no fornecimento de sua memória de alta largura de banda personalizada, NVHBM. Esse produto reduz a altura do empilhamento em comparação com os planos originais de 12 e 16 camadas; a especificação de velocidade solicitada pela NVIDIA é de 17-18 Gbps, cerca de 20% mais rápida que a velocidade inicial das amostras HBM4E da Samsung (14,4 Gbps), e será utilizado na NVHBM otimizada para NVLink, conforme divulgado pela NVIDIA. A adoção de 8 camadas contraria a lógica tradicional de aumento de capacidade por meio do aumento do número de camadas empilhadas, reduzindo a complexidade e a pressão sobre a taxa de rendimento nas etapas pós-fabricação, facilitando a expansão da oferta e sendo vista como uma estratégia da NVIDIA para aliviar a escassez de memória. A NVHBM deverá ser aplicada a partir do próximo GPU de IA da NVIDIA, denominado “Rubin Ultra”, que aumentará o número de conexões entre GPUs de 72 para até 576, elevando a capacidade computacional geral por meio da coordenação de centenas de GPUs equipadas com HBM mais rápido. No mercado de HBM personalizada, a Samsung possui vantagem competitiva em relação à SK Hynix e Micron, pois a NVHBM exige capacidade de design integrado de DRAM e base chip lógico, algo que a Samsung pode realizar de forma unificada. Especialistas do setor afirmam que a Samsung já validou, no HBM4, a velocidade mais alta do setor, o que lhe confere vantagem na competição por desempenho.