Samsung e SK Hynix aumentarão a produção de NAND na China com investimentos em equipamentos

ChainCatcher relata, segundo o ZDNet Korea, que a Samsung Electronics e a SK Hynix planejam continuar investindo em equipamentos para suas linhas de produção em massa de NAND flash na China até o próximo ano, visando reforçar seus centros de produção locais. Desde o primeiro semestre deste ano, a Samsung já está avançando com investimentos para a transição da linha X2 em Xi’an para o NAND V9, um produto de processo avançado com cerca de 280 camadas empilhadas, com expectativa de gerar capacidade mensal de 40.000 a 50.000 wafers. Para garantir a produção em massa, a empresa já confirmou um plano de investimento complementar, centrado na aquisição adicional de equipamentos de蚀刻 (etching), com pedidos de compra provavelmente sendo definidos até o final do ano, e o investimento complementar previsto para começar a partir do segundo semestre do próximo ano. A SK Hynix, por sua vez, iniciou investimentos em equipamentos para a atualização dos produtos NAND na Fábrica 2 de Dalian desde o terceiro trimestre deste ano, com escala discutida equivalente a aproximadamente 30.000 wafers por mês; os principais equipamentos de fabricação começarão a chegar no próximo mês e planejam concluir sua instalação até o primeiro semestre do próximo ano. A fábrica de Dalian é um ativo adquirido pela empresa após a compra da divisão NAND da Intel no segundo semestre de 2020; em 2022, foi realizada a cerimônia de inauguração da Fábrica 2 para expansão de capacidade, mas os investimentos em equipamentos foram suspensos posteriormente devido a condições de mercado e outros fatores, e agora os investimentos foram reiniciados. Especialistas do setor apontam que esses planos visam expandir gradualmente a capacidade avançada de NAND na China para atender ao rápido crescimento da demanda por armazenamento de alto desempenho em áreas como servidores de inteligência artificial.