ChainCatcher relata que a Samsung Electronics e a SK Hynix da Coreia do Sul estão acelerando seus investimentos em HBM e tecnologias de armazenamento de próxima geração para manter sua vantagem competitiva. A Samsung Electronics afirmou que seus gastos com P&D no segundo trimestre atingiram um recorde de 16 trilhões de wons coreanos (aproximadamente 11,6 bilhões de dólares americanos) e planeja expandir sua presença em produtos de armazenamento avançados, como HBM4, HBM4E e DDR5. A SK Hynix, por sua vez, está desenvolvendo tecnologias de próxima geração, incluindo HBM5, hybrid bonding e iHBM, com uma previsão de gastos de capital de 40 trilhões de wons coreanos (aproximadamente 32,6 bilhões de dólares americanos) este ano.
Samsung e SK Hynix aumentam P&D e investimento em HBM
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Resumo
Samsung e SK Hynix estão aumentando a P&D e o investimento em HBM e tecnologias de memória de próxima geração. A Samsung gastou 16 trilhões de KRW (US$ 116 bilhões) em P&D no Q2 e planeja lançar HBM4, HBM4E e DDR5. A SK Hynix está trabalhando em HBM5, bonding híbrido e iHBM, com gastos de capital esperados para atingir 40 trilhões de KRW (US$ 326 bilhões) este ano. A iniciativa ocorre enquanto notícias de criptomoedas destacam a crescente demanda por hardware de alto desempenho no setor de notícias de criptomoedas.
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