BlockBeats noticia que, em 9 de setembro, segundo o Seoul Economic Daily, a Samsung Electronics desenvolverá conjuntamente com a ASML, o maior fabricante mundial de equipamentos de litografia, a tecnologia de litografia ultravioleta extremo (EUV) com alta numeração de abertura (High-NA). A Samsung está participando de um esforço destinado a promover uma mudança nos padrões da indústria, passando da placa de máscara de 6 polegadas, em uso desde os anos 80, para a versão de 12 polegadas, e buscando ser a primeira a estabelecer um sistema de produção em massa de DRAM baseado em equipamentos High-NA EUV.
A Samsung planeja aplicar equipamentos de EUV de alta NA na produção de DRAM a partir de 2028, expandindo posteriormente essa tecnologia para um processo lógico avançado de 1,4 nanômetros para impulsionar seu negócio de fabricação de wafers. A ampliação do tamanho da máscara visa compensar as limitações da tecnologia EUV. A abertura numérica do EUV de alta NA é 66% maior do que a do EUV tradicional, permitindo a formação de padrões de circuito mais finos. Substituir as máscaras de 6 polegadas atualmente utilizadas por máscaras de 12 polegadas aumenta a eficiência da fábrica de wafers e reduz os custos de fabricação de chips.