A Kioxia acelera o layout de NAND para IA e lança produtos PCIe 6.0 e UFS 5.0

ChainCatcher relata que o fabricante japonês de NAND, Kioxia, está acelerando sua entrada no mercado de NAND para IA, tendo iniciado a produção em massa da 10ª geração (BiCS 10) de NAND 3D de 332 camadas este ano e lançado o eSSD de data center "CM10" compatível com PCIe 6.0, que apresenta desempenho de leitura sequencial até 92% superior ao da geração anterior. Além disso, a Kioxia planeja iniciar a produção em massa de armazenamento embutido UFS 5.0 até o final deste ano, com velocidade de transmissão de dados aproximadamente duas vezes maior que a do UFS 4.1, focando no mercado de dispositivos móveis de IA na borda. Segundo dados da TrendForce, a quota de mercado global da Kioxia em NAND no primeiro trimestre deste ano foi de 13,9%, ocupando a terceira posição, atrás da Samsung Electronics (31,6%) e da SK Hynix (17,6%). As empresas sul-coreanas também estão acelerando seus passos. A Samsung já iniciou a produção em massa do eSSD PCIe 6.0 "PM1763" no mês passado, equipado com V-NAND da 9ª geração e controlador de 4nm, com produção em massa do UFS 5.0 prevista para o quarto trimestre. A Samsung também anunciou que, a partir deste mês, iniciará a produção em massa da 10ª geração de V-NAND (cerca de 430 camadas), pela primeira vez aplicando técnicas de ligação híbrida e empilhamento triplo. Analistas do setor consideram que a Kioxia apresenta competitividade significativa na velocidade de iteração tecnológica, mas ainda mantém uma diferença em escala de capacidade produtiva em relação às empresas sul-coreanas, o que indicará uma concorrência ainda mais intensa no mercado de armazenamento para IA nos próximos estágios.