Mars Finance noticia que, em 3 de agosto, o primeiro ETF global exclusivamente voltado para memória — Roundhill Memory ETF (DRAM) — concluiu sua última reposição, incluindo a fabricante chinesa de DRAM, CXMT, entre os dez maiores posicionamentos, com peso de 2,52%, ocupando a oitava posição. Dados mostram que, simultaneamente, o ETF reduziu a exposição à empresa chinesa de armazenamento Gigadevice, cujo peso caiu de 2,91% para 1,51%, descendo para a décima posição. CXMT tornou-se o ativo de armazenamento chinês com maior peso nesse ETF. Especialistas do mercado afirmam que a inclusão da CXMT em um ETF global voltado para armazenamento indica que o capital internacional está começando a prestar mais atenção ao desenvolvimento da indústria chinesa de DRAM. Atualmente, a CXMT aparece no mesmo portfólio de grandes fabricantes globais de armazenamento, como Samsung Electronics, Micron Technology e SK Hynix. A CXMT listou-se na Borsa de Ciência e Tecnologia de Xangai em 27 de julho, com preço de emissão de 8,66 yuan; no primeiro dia de negociação, fechou em 49 yuan, registrando alta diária de 465,82%. Até o fechamento de 3 de agosto, o preço da ação da empresa estava em 54,99 yuan, com capitalização de mercado de aproximadamente 3,68 trilhões de yuan. Segundo dados da Omdia, no quarto trimestre de 2025, a CXMT detinha cerca de 7,67% de participação no mercado global de DRAM, ocupando a quarta posição mundial. O Roundhill Memory ETF foi listado em 2 de abril de 2026 na bolsa Cboe BZX dos Estados Unidos e é o primeiro ETF global focado exclusivamente no setor de chips de memória. Dados indicam que, em três meses após sua estreia, seu volume ultrapassou 25 bilhões de dólares, com os dez maiores posicionamentos incluindo Samsung Electronics, Micron Technology, SK Hynix, Western Digital, Seagate Technology, SanDisk, Kioxia Holdings, CXMT, Nanya Technology e Gigadevice. Recentemente, as ações de chips de armazenamento globais sofreram ajuste: em 3 de agosto, o índice composto da Coreia do Sul caiu 5,12%, enquanto as ações da Samsung Electronics e da SK Hynix recuaram cerca de 9%. O Morgan Stanley considera que a liquidação recente de capital alavancado pode criar novas oportunidades de entrada para investimentos em IA e ciclos industriais.
O ETF Global Memory adiciona a ChangXin Technology, líder chinesa de DRAM atrai atenção de capital internacional
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Resumo
Os fluxos de entrada nos ETFs do Roundhill Memory ETF (DRAM) continuaram, com o fundo adicionando a ChangXin Technology às suas dez principais participações em 3 de agosto de 2026, com peso de 2,52%. O ETF reduziu seu staking na GigaDevice, diminuindo seu peso para 1,51%. A ChangXin agora ocupa a oitava maior participação e é a empresa chinesa de armazenamento com maior peso na carteira. As dez principais participações do ETF incluem Samsung Electronics, Micron Technology e SK Hynix. A ChangXin, listada no STAR Market, fechou em 54,99 RMB, com capitalização de mercado de 3,68 trilhões de RMB. Foram observados fluxos de saída em fundos alavancados, com o Morgan Stanley sugerindo novas oportunidades de entrada em IA e ciclos industriais.
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