O ETF Global Memory adiciona a ChangXin Technology, líder chinesa de DRAM ganha atenção internacional

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Os fluxos de entrada nos ETFs da Roundhill Memory ETF (DRAM) continuaram, com o fundo adicionando a ChangXin Technology a seus dez principais ativos em 3 de agosto, com peso de 2,52%. O ETF reduziu seu stake na GigaDevice, diminuindo seu peso para 1,51%. A ChangXin agora é a empresa chinesa de armazenamento com maior peso na carteira. O ETF, lançado em abril de 2026, detém grandes nomes como Samsung e Micron. A ação da ChangXin subiu 465,82% em sua estreia no mercado STAR e fechou em 54,99 RMB em 3 de agosto. A Omdia prevê que a ChangXin detenha 7,67% do mercado global de DRAM até o Q4 de 2025. Foram observados fluxos de saída em fundos alavancados, com o Morgan Stanley sugerindo novos pontos de entrada para investimentos em IA e ciclo industrial.

Mensagem do BlockBeats, 3 de agosto: o primeiro ETF global totalmente voltado para memória — Roundhill Memory ETF (DRAM) — concluiu sua última reposição, incluindo a fabricante chinesa de DRAM, CXMT, entre os dez maiores posicionamentos, com peso de 2,52%, ocupando a oitava posição entre os ativos mais pesados.


Os dados mostram que, durante o mesmo período, o DRAM reduziu sua participação nas ações chinesas da empresa de armazenamento GigaDevice, cuja ponderação caiu de 2,91% para 1,51%, descendo para a décima posição. a ChangXin Memory Technologies tornou-se o ativo chinês de armazenamento com a maior ponderação nesse ETF.


Investidores indicam que a inclusão da CXMT na ETF global de armazenamento significa que o capital internacional começou a prestar mais atenção ao desenvolvimento da indústria chinesa de DRAM. Atualmente, a CXMT aparece junto com fabricantes globais de armazenamento como Samsung Electronics, Micron Technology e SK Hynix no mesmo portfólio de investimentos.


A ChangXin Memory Technologies listou-se na STAR Market em 27 de julho, com preço de emissão de 8,66 yuan, fechando no primeiro dia de negociação em 49 yuan, registrando alta diária de 465,82%. Até o fechamento em 3 de agosto, o preço da ação da empresa estava em 54,99 yuan, com capitalização de mercado de aproximadamente 3,68 trilhões de yuan. De acordo com dados da Omdia, no quarto trimestre de 2025, a ChangXin Memory Technologies detinha cerca de 7,67% de participação de mercado global em DRAM, ocupando a quarta posição mundial.


O Roundhill Memory ETF foi listado na Cboe BZX dos Estados Unidos em 2 de abril de 2026 e é o primeiro ETF temático global focado no setor de chips de memória. Dados mostram que, três meses após sua estreia, seu volume total ultrapassou US$ 25 bilhões, com as dez principais posições incluindo Samsung Electronics, Micron Technology, SK Hynix, Western Digital, Seagate Technology, SanDisk, Kioxia Holdings, CXMT, Nanya Technology e GigaDevice.


Nos últimos tempos, as ações de chips de armazenamento global sofreram ajuste; em 3 de agosto, o índice composto da Coreia caiu 5,12%, e as ações da Samsung Electronics e da SK Hynix caíram cerca de 9% cada uma. A Morgan Stanley considera que a liquidação recente de capital alavancado pode oferecer novas oportunidades de entrada para investimentos em IA e ciclos industriais.

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