TrendForce: Ang mga lead time ng GPU ay 30–45 linggo, na umabot sa pinakamataas na antas ng saklaw na 5 linggo ang pagtaas kumpara sa nakaraang linggo. Ang mga lead time ng DRAM ay nabawasan sa 19 linggo, baba ng 1 linggo kumpara sa nakaraang linggo. Ang mga lead time ng MLCC ay napalawig sa 38 linggo, taas ng 3 linggo kumpara sa nakaraang linggo. https://t.co/QBRPWOuedR
May access ang Apple sa mga libro ng mga supplier nito ng NAND flash at itinaya nito nang madalas hanggang sa makakuha pa ito ng diskwento mula sa Deloitte. LMAO #BoycottApple https://t.co/Qe6YiArp9G
Ayon sa mainland Chinese news outlet na Jiemian News (界面新闻), dating naiwan ng Apple ang ilan sa kanyang mga pamantayan sa pagkontrol ng kalidad na may kinalaman sa yield dahil sa limitadong kakayahan sa produksyon ng iPhone Duo. Ayon sa mga ulat, ito ay tumataas ang posibilidad na makarating sa merkado ang mga yunit na may panganib na magkaroon ng pagkabigo sa display. Ang pagkontrol ng kalidad ng Apple para sa iPhone Duo ay ang pinakamababang antas sa kasaysayan ng kumpanya.
Ang TSMC ay hihinto na sa pagpapalawak ng SRAM gamit ang kanyang A14 node, matapos ang pagtigil na nagsimula pagkatapos ng N5, ayon sa mga ulat ng Korean media. Ang mga sukat ng SRAM bitcell ay nanatiling 0.021 µm² sa loob ng mahigit walong taon mula noong ipakilala ang proseso ng N5 (5 nm) noong 2020. Gayunpaman, sa A14, inaasahan na mababawasan ang sukat ng isang high-density 6T SRAM (static random-access memory) bitcell sa ilalim ng 0.017 µm². Tinukoy ng Korean media na ito ay magpapahintulot sa TSMC na maging mas unang-una kaysa sa proseso ng Intel na 18A, kung saan ay ipinahayag ng Intel ang isang high-density bitcell size na 0.021 µm² at maximum SRAM macro density na 38.1 megabits/mm² noong nakaraang ISSCC. Ang SRAM ay ang ultrafast cache memory na ginagamit sa loob ng CPUs, GPUs, at AI accelerators. Ang mas maliit na bitcells—ang pinakamaliit na indibidwal na memory cell—ay nagpapahintulot na mas maraming memory ang mabawasan sa parehong lugar, na direktang nakakaapekto sa performance at power efficiency. https://t.co/tYuy9jFUD4
Ang pinakamahalagang insight mula sa mga balita sa industriya ng memorya sa nakaraang ilang araw ay galing kay Tim Archer, CEO ng Lam Research. Sa earnings call ng kompanya noong Oktubre 21, 2026, ipinaliwanag ni Archer na ang pagdami ng paggamit ng SLC NAND para sa AI ay maaaring magdulot ng pagtaas sa kapasidad ng wafer na kailangan upang suplayin ang parehong amount ng storage. Tingnan natin nang mas detalyado. Espesipikong, ang paglipat mula sa TLC patungo sa mga produkto ng SLC-class ay bumabawas sa bilang ng bits na itinatago bawat cell sa halos isang-katlo. Bilang resulta, sinabi niya, bawat 1-porsyentong pagtaas sa bahagi ng SLC sa kabuuang NAND bits ay maghahangad ng halos 2% higit pang kapasidad ng wafer upang matugunan ang parehong kabuuang bit demand. Maaaring magtanong ang ilang mambabasa kung ang SLC ay isang luma na paraan sa produksyon ng NAND, ginagamit lamang sa mga legacy na produkto. Hindi naman. Ang SLC ay isang napakalaking potensyal na larangan na maaaring maglalaro ng papel sa NAND na katulad ng papel na ginagampanan ng HBM sa DRAM. Ang mga customer ng NAND, kabilang ang NVIDIA at ang mga hyperscaler, ay nagpapalawak ng mga susunod na henerasyon ng mga produkto batay sa SLC. Sa loob ng ecosystem ni NVIDIA, ang pagtutok ay sa SLC-based XL-Flash, kilala rin bilang high-IOPS NAND. Sa labas ng ecosystem ni NVIDIA, ginagamit din ang SLC bilang batayan para sa HBF. Sa simpleng salita, upang makamit ang kapasidad ng storage ng isang TLC wafer, kailangan ng halos tatlong SLC wafers, habang upang makamit ang kapasidad ng isang QLC wafer, kailangan ng halos apat. Habang tumataas ang produksyon ng mga produkto na ito batay sa SLC, sila ay maglalako ng lalong maraming kapasidad ng NAND wafer. Tulad ng ginawa ng HBM sa shortage ng DRAM, maaaring lumikha ang mga produkto na ito ng parehong dinamika sa NAND. Dahil iskedyul na pumasok sa mass production ang HBF at XL-Flash noong 2028 at 2027, ayon sa aking pananaw, dapat nating isipin kung ang ilang forecast ng mga analista na bumababa ang presyo ng NAND noong ikaapat na kwarter ng 2027 ay maaaring sobrang konservatibo.
LMAOOOO, ang mga eksekutibo sa mga tagagawa ng Taiwanese substrate ay patuloy na nakakapit sa lumang pananaw na hinahati ni Japan’s Nittobo ang Korea’s Samsung, kaya ibibigay nito sa Samsung ng kaunting glass fiber at hindi makakapag-expand ng kapasidad ang Samsung Electro-Mechanics?? LMFAOOOOOO https://t.co/0bQByJ8JUd
Sasakopin ba ang hybrid bonding (W2W) bago ang High-NA EUV? https://t.co/IOs2QsX8iO
