La tecnología de unión híbrida de Samsung se utilizará en el acelerador de IA de próxima generación de NVIDIA, Feynman

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AI summary iconResumen
Samsung está construyendo una línea de unión híbrida Die-to-Wafer en Pyeongtaek P5 para chips HBM y lógica de próxima generación. La empresa comprará 50 máquinas a Besi a 60 mil millones de KRW cada una. SEMES ya ha desarrollado una versión local. Se espera que esta tecnología potencie al acelerador de IA de NVIDIA, Feynman, con HBM personalizado. Las noticias sobre IA y cripto muestran una creciente demanda de semiconductores. La producción masiva está programada para 2029–2030.

ChainThink: Samsung Electronics ha comenzado la construcción de una línea de producción de unión híbrida Die-to-Wafer en la fábrica Pyeongtaek P5, destinada al paquete avanzado de HBM y semiconductores lógicos de próxima generación.

En cuanto a equipos, Samsung prioriza a Besi de los Países Bajos y planea adquirir aproximadamente 50 máquinas de unión híbrida, cada una alrededor de 6.000 millones de won coreanos (aproximadamente 4,3 millones de dólares estadounidenses), un precio cercano al doble del de los competidores. Debido a que Samsung requiere modificaciones personalizadas en la arquitectura del equipo, las negociaciones avanzan lentamente;

Al mismo tiempo, Besi también suministra a TSMC y Micron, por lo que es cautelosa con la idea de modificar equipos exclusivamente para Samsung. Samsung también está evaluando soluciones locales alternativas; su subsidiaria SEMES ha completado el desarrollo de la máquina de unión híbrida D2W y envió muestras para validación a principios de este año;

Hanwha Semitech completó el desarrollo de la segunda generación de "SHB2 Nano" en febrero y envió muestras a SK Hynix en abril.

El analista Jukan de Citrini indica que esta tecnología se espera que se utilice en el próximo acelerador de IA de NVIDIA, Feynman, que utilizará HBM personalizado;

Samsung internamente estima que la tecnología relevante no alcanzará una aplicación a gran escala hasta aproximadamente 2029 a 2030.

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