Samsung Electronics está construyendo una línea de producción a gran escala de unión híbrida Die-to-Wafer en su fábrica Pyeongtaek P5, con planes de adquirir aproximadamente 50 máquinas de unión híbrida fabricadas por Besi, a un precio de alrededor de 6.000 millones de wones por unidad. Esta tecnología reemplaza la unión térmica tradicional mediante unión híbrida de cobre, con su aplicación principal en HBM personalizado. El analista de Citrini, Jukan, indicó que la unión híbrida se espera que se utilice en el próximo acelerador de IA de NVIDIA, Feynman, que emplea HBM personalizado, y Samsung prevé su aplicación a gran escala entre 2029 y 2030.
Samsung construye una línea de unión híbrida para el acelerador NVIDIA Feynman
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Resumen
Samsung está construyendo una línea de unión híbrida Die-to-Wafer en su planta Pyeongtaek P5 para respaldar el acelerador de IA Feynman de NVIDIA. La empresa comprará alrededor de 50 máquinas de Besi, cada una con un costo de 6 mil millones de KRW. El nuevo proceso de unión híbrida de cobre está diseñado específicamente para HBM personalizado. Las noticias de IA + cripto destacan este movimiento como un paso clave en la fabricación avanzada de chips. El analista Citrini Jukan indicó que esta tecnología se utilizará en Feynman, con producción masiva esperada entre 2029 y 2030.
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