Citi: El aprendizaje continuo de la IA extenderá la escasez de memoria hasta 2031
Citi advierte sobre una escasez de memoria de varios años a medida que la IA entra en la era del aprendizaje continuo
Citi Research publicó un análisis detallado el 14 de septiembre de 2026, proyectando que el paso de los sistemas de inteligencia artificial a una fase de aprendizaje continuo redefinirá fundamentalmente los patrones de demanda de memoria de alta ancho de banda, DDR5 para servidores y unidades de estado sólido empresariales. Esta transición lleva la IA más allá de modelos estáticos de entrenamiento e inferencia hacia sistemas que actualizan continuamente el conocimiento y retienen datos previos, generando una presión sostenida sobre el suministro de memoria. Las proyecciones del banco muestran que las relaciones de oferta y demanda de DRAM se volverán negativas de forma pronunciada en 2027 y 2028, mientras que NAND sigue una trayectoria similar, con la desigualdad esperada que persista hasta 2031.
Estas proyecciones llegan en medio de preocupaciones recientes del mercado sobre el retorno de la inversión en capital de IA y ajustes en las especificaciones de memoria de ancho de banda alto, pero Citi interpreta lo último como evidencia de restricciones de oferta más que de una demanda debilitada. Datos de apoyo de rastreadores de la industria indican que la memoria ya representa más de la mitad de los ingresos de semiconductores en los últimos trimestres, subrayando la naturaleza estructural de la escasez. El aprendizaje continuo ampliará simultáneamente la demanda en HBM, DRAM para servidores y almacenamiento empresarial a partir de 2027, superando las adiciones de capacidad factibles y asegurando escaseces de varios años que reconfigurarán el poder de fijación de precios y las prioridades de inversión para los principales proveedores de memoria.
Se proyecta que la demanda de HBM Bit aumente un 62 % en 2027 bajo aprendizaje continuo
El informe de Citi del 14 de septiembre estima que la demanda de bits de memoria de ancho de banda alto aumentará un 62 % interanual hasta alcanzar 75.2 mil millones de gigabits en 2027, antes de acelerar un 69 % adicional hasta aproximadamente 127 mil millones de gigabits en 2028. Estas cifras duplican aproximadamente las proyecciones anteriores y reflejan los dos requisitos impuestos por el aprendizaje continuo: la actualización del modelo y el acceso persistente a los datos históricos. Las fuentes de demanda se extienden más allá de un solo proveedor de aceleradores; las necesidades de HBM de Broadcom se espera que aumenten desde aproximadamente 9 mil millones de gigabits en 2026 hasta más de 41 mil millones en 2028, mientras que las necesidades de Google crecen desde aproximadamente 4.7 mil millones hasta 14 mil millones de gigabits en el mismo período.
En el lado de la oferta, se pronostica que la capacidad mensual de obleas aumentará de 420.000 obleas en 2027 hacia 700.000, sin embargo, los envíos acelerados de ASIC personalizados se proyectan que empujen la relación oferta-demanda de HBM a un déficit del 36 por ciento para 2028. Los largos tiempos de entrega para el empaquetado avanzado y la construcción de nuevas fábricas limitan la velocidad de respuesta, dejando al mercado estructuralmente corto incluso mientras aumenta el gasto en capital. Las verificaciones de la industria citadas por el banco confirman que las consultas de los clientes para las asignaciones de 2027-2028 continúan intensificándose, reforzando la opinión de que los ajustes de especificaciones representan racionamiento en lugar de debilidad de la demanda. Esta dinámica posiciona al HBM como el cuello de botella principal para los sistemas de IA de próxima generación que deben retener y refinar conocimientos durante períodos operativos prolongados.
La demanda de servidores DDR5 se prevé que aumente un 51 % a medida que el aprendizaje continuo se amplíe
Se pronostica que la demanda global de DRAM se expandirá un 30,2 por ciento en 2027, mientras que la oferta crecerá solo un 18,8 por ciento, generando un déficit oferta-demanda del 8,7 por ciento que se ampliará al 9,7 por ciento en 2028, ya que la demanda aumentará otro 35 por ciento frente a un crecimiento de la oferta del 22 por ciento. Específicamente, se proyecta que el DRAM de servidor aumente un 51 por ciento, de 226,3 mil millones de unidades (equivalente a 1 Gb) en 2026 a 341,7 mil millones de unidades en 2027, representando aproximadamente el 67 por ciento del consumo total de DRAM. El aprendizaje continuo impulsa esta aceleración, ya que los modelos requieren actualizaciones frecuentes de parámetros junto con acceso rápido al conocimiento previamente adquirido, elevando el papel de los módulos DDR5 de servidor de alto rendimiento.
La producción de HBM ya está cannibalizando las obleas que de otro modo apoyarían el DRAM de commodity, mientras que las transiciones más lentas entre nodos tecnológicos restringen aún más la producción. Citi señala que incluso aumentos agresivos en el gasto de capital no cerrarán la brecha de 2027 debido a los plazos de varios años para la capacidad greenfield. Se espera que esta escasez respalde continuos aumentos en los precios promedio de venta, con los precios combinados de DRAM proyectados en un aumento del 23,1 por ciento en 2027 tras los extraordinarios avances registrados en 2026. Estas condiciones crean un poder de fijación de precios sostenido para los proveedores que mantienen posiciones líderes tanto en HBM como en memoria de servidores de alto rendimiento.
El crecimiento de la demanda de SSD empresariales del 53 % está vinculado a las necesidades de retención de datos
Se proyecta que la demanda de unidades de estado sólido empresariales aumente un 52,9 por ciento en 2027, ya que los sistemas de aprendizaje continuo trasladan las cargas de trabajo de caché clave-valor al almacenamiento externo y adoptan configuraciones QLC de alta capacidad para servidores de IA. Este crecimiento se debe directamente a la necesidad de conservar los datos previamente aprendidos mientras los modelos continúan entrenándose en nuevas tareas, un proceso que multiplica la intensidad de almacenamiento en comparación con las cargas de trabajo de inferencia estáticas. Citi anticipa que la demanda total de NAND aumente un 29 por ciento en 2027 y un 33 por ciento en 2028, superando el crecimiento de la oferta del 21 por ciento y el 25 por ciento, y produciendo ratios de oferta-demanda de -6,1 por ciento y -5,5 por ciento, respectivamente.
Se espera que la capacidad de NAND de Samsung disminuya un 4,7 por ciento en el corto plazo, ya que los recursos priorizan DRAM y HBM, limitando la expansión en toda la industria. La combinación de menor capacidad de HBM por acelerador, las tendencias de Nvidia de desplazar la caché y el aumento de las implementaciones personales y físicas de IA amplifican aún más los requisitos de eSSD. Incluso con el gasto en capital de NAND que aumenta un 34,2 por ciento hasta 21.800 millones de dólares en 2027, los largos ciclos de construcción y calificación impiden cerrar rápidamente la brecha. Estos factores convierten el almacenamiento en una restricción estructural, y no cíclica, para la infraestructura de IA.
El crecimiento del suministro de DRAM se limitará al 19 por ciento en 2027 a pesar del aumento del gasto en capital
Citi pronostica que el gasto total en capital de memoria aumentará un 46,5 % hasta alcanzar 80.400 millones de dólares en 2027, con el gasto en DRAM solo subiendo un 51,6 % hasta 58.600 millones de dólares. Se espera que Samsung asigne 20.600 millones de dólares, SK Hynix 17.500 millones de dólares y Micron 15.800 millones de dólares. A pesar de esta escala de inversión, las adiciones de capacidad greenfield enfrentan tiempos de anticipación de varios años para la construcción de salas limpias, la instalación de equipos y la calificación de procesos, lo que las hace insuficientes para equilibrar la demanda de 2027. La migración tecnológica sigue siendo más lenta que los niveles históricos, y el empaquetado de HBM consume recursos desproporcionados de obleas y ensamblaje.
El banco concluye por lo tanto que la oferta se retrasará respecto al crecimiento de la demanda del 30 por ciento en 2027 y del 35 por ciento en 2028, fijando déficits del 8,7 por ciento y del 9,7 por ciento. Los ciclos históricos de semiconductores muestran que una vez que los inventarios caen por debajo de los niveles normales y la demanda permanece estructuralmente elevada, la escasez de precios y asignación puede persistir durante varios años. Las métricas actuales de inventario ya se encuentran bien por debajo de los umbrales tradicionales entre proveedores, operadores de nube y canales, lo que brinda apoyo adicional a la tesis de la escasez prolongada.
Las restricciones de capacidad de NAND se intensifican a medida que los recursos se desplazan hacia HBM
La demanda de expansión de NAND a nivel de la industria permanece contenida, ya que los principales proveedores redirigen capital y recursos de ingeniería hacia HBM y DRAM para servidores de mayor margen. Se proyecta que la producción de NAND de Samsung se contraiga un 4,7 por ciento a corto plazo, mientras que el crecimiento general de la oferta del 21 por ciento en 2027 y del 25 por ciento en 2028 se queda por debajo de los aumentos de la demanda del 29 por ciento y el 33 por ciento. El aprendizaje continuo amplifica el desequilibrio al elevar los requisitos de SSD empresariales para retención de datos a largo plazo y descarga de caché.
Citi proyecta que los precios promedio de venta de NAND aumenten un 45,3 por ciento en 2027, extendiendo la fuerte tendencia alcista observada en 2026. Los niveles bajos de inventario y las existencias de los proveedores en aproximadamente 2,6 semanas, frente a una línea base normal de cinco semanas, limitan aún más la capacidad de la industria para absorber picos de demanda. Estas condiciones crean un ciclo autorreforzante en el que las adiciones de capacidad permanecen cautelosas hasta que los precios altos sostenidos justifiquen inversiones más amplias, extendiendo la ventana de escasez mucho más allá de las duraciones tradicionales del ciclo.
La adopción de la IA personal y la IA física sustentan la extensión de la escasez de varios años
Citi argumenta que la proliferación a gran escala del aprendizaje continuo, los agentes de IA personales y los sistemas de IA físicos proporcionará el piso fundamental de demanda que respaldará la suboferta hasta 2031. La IA personal requiere memoria persistente de las interacciones y el contexto del usuario, mientras que las aplicaciones de IA física en robótica y sistemas autónomos generan flujos continuos de datos de sensores que deben almacenarse y refinarse. Estos casos de uso amplían el mercado total abordable para el almacenamiento de alta ancho de banda y alta capacidad más allá de los clústeres actuales de entrenamiento de hyperscalers.
El análisis del banco indica que una vez que estas aplicaciones alcancen masa crítica, las tasas de crecimiento de la demanda permanecerán elevadas incluso si las cargas de trabajo de entrenamiento puro se moderan. Las respuestas del lado de la oferta, limitadas por la intensidad de capital y la complejidad técnica, no pueden seguir esta trayectoria dentro del horizonte de pronóstico. En consecuencia, el mercado de memoria pasa de una recuperación cíclica a un superciclo estructural caracterizado por déficits sostenidos y precios elevados.
Principales proveedores de memoria posicionados para poder de fijación de precios estructural
Citi identifica a Samsung Electronics, SK Hynix, Micron, SanDisk y Kioxia como los principales beneficiarios de la tensión proyectada de varios años. Samsung y SK Hynix mantienen posiciones de liderazgo en ambos, HBM y DDR5 de alto rendimiento para servidores, colocándolos en el centro del auge de la demanda. Micron se beneficia de su creciente presencia en HBM y su escala en DRAM, mientras que SanDisk y Kioxia capturan la oportunidad de SSD empresarial y NAND de alta densidad.
Los proveedores de equipos y materiales, incluidos Applied Materials, Lam Research, Montage, TES, Eugene Technology y TechWing, también se destacan como beneficiarios indirectos del ciclo de gasto en capital elevado. La combinación de oferta restringida y precios de venta promedio crecientes se espera que se traduzca en márgenes ampliados y generación de efectivo para estas empresas durante el resto de la década. Los datos del mercado ya muestran que la memoria contribuye con más del 50 por ciento de los ingresos de semiconductores en los últimos trimestres, confirmando el papel desproporcionado del sector en la construcción de la infraestructura de IA.
Los ingresos del sector de semiconductores en el Q2 marcan récords, lo que subraya la fortaleza del mercado de memoria
Según los datos de Omdia citados junto con el análisis de Citi, los ingresos globales de semiconductores alcanzaron un récord histórico superior a 425 mil millones de dólares en el segundo trimestre de 2026, con memoria representando el 54 por ciento del total, la primera vez que esta categoría supera la mitad de las ventas del sector. El sector ha registrado cuatro trimestres consecutivos de crecimiento secuencial de dos dígitos, una rareza en los datos históricos que abarcan casi 100 trimestres.
La inversión en infraestructura de IA está impulsando la demanda no solo de HBM y DRAM, sino también de componentes no de memoria asociados. Estas cifras brindan apoyo empírico a la afirmación de Citi de que el ciclo actual difiere de las recuperaciones anteriores de memoria impulsadas principalmente por la electrónica de consumo. La contribución sostenida de la memoria al crecimiento general de los semiconductores refuerza la visión de que las restricciones de oferta seguirán siendo vinculantes a medida que aumenten las cargas de trabajo de aprendizaje continuo.
El aumento del gasto de capital del 46,5 por ciento aún es insuficiente para el equilibrio de 2027
A pesar de que se proyecta que el gasto de capital global en memoria aumente un 46,5 % hasta alcanzar 80.400 millones de dólares en 2027, Citi concluye que el momento de las adiciones de capacidad dejará al mercado en déficit. El gasto en DRAM se espera que alcance 58.600 millones de dólares y el de NAND 21.800 millones de dólares, pero los proyectos greenfield requieren años desde el inicio de la construcción hasta la producción en volumen calificado.
Las instalaciones existentes enfrentan limitaciones debido a los tiempos de entrega de herramientas, la disponibilidad de mano de obra calificada y la complejidad técnica del empaquetado avanzado requerido para HBM. Por lo tanto, el banco sostiene que el crecimiento de la oferta del 19 por ciento para DRAM y del 21 por ciento para NAND en 2027 no podrá acompanar los correspondientes aumentos de la demanda. Esta discrepancia prepara el escenario para una continua escasez de asignación y fortaleza de precios en los años siguientes, independientemente de las fluctuaciones a corto plazo en el sentimiento sobre el gasto en capital de IA.
Ajustes de Despec interpretados como racionamiento de oferta en lugar de debilidad de la demanda
El reciente debate sobre posibles reducciones en las especificaciones de memoria de ancho de banda alto por acelerador ha sido interpretado por algunos participantes del mercado como una señal de demanda en enfriamiento. Citi adopta la visión opuesta, caracterizando los ajustes como una respuesta racional a la limitada disponibilidad de HBM que permite a los fabricantes de chips maximizar la cantidad de aceleradores enviados dentro de una oferta restringida.
La revisión al alza de la previsión de demanda de bits HBM por parte del banco, que aproxima duplicar las estimaciones anteriores, respalda esta interpretación. Las consultas de los clientes para asignaciones de 2027 y 2028 continúan aumentando, y los principales programas de silicio personalizado en Broadcom y Google muestran huellas de memoria en expansión en lugar de contracción. Estas observaciones indican que la trayectoria subyacente de la demanda permanece intacta y que los cambios en las especificaciones representan una asignación eficiente de recursos bajo condiciones de escasez.
Los niveles de inventario permanecen estructuralmente bajos en toda la cadena de suministro
Según los datos de la industria mencionados junto con el informe de Citi, los inventarios de proveedores, proveedores de nube y canales tanto para DRAM como para NAND se encuentran bien por debajo de los niveles históricos. Los inventarios de los proveedores de NAND se estiman en aproximadamente 2.6 semanas, frente a un nivel normal de cinco semanas, mientras que los inventarios en la nube oscilan alrededor de tres semanas contra una línea base de siete semanas. Los inventarios de canal también permanecen comprimidos. Estos niveles bajos dejan poco margen contra un aumento de la demanda proveniente de cargas de trabajo de aprendizaje continuo.
En ciclos anteriores, la reconstrucción de inventarios ha requerido varios trimestres de producción elevada; bajo las tasas de crecimiento de la demanda proyectadas, la reconstrucción se vuelve aún más difícil. La ausencia de exceso de stock amplifica por lo tanto el impacto de cualquier demanda incremental, reforzando la perspectiva de escasez plurianual hasta 2031.
La tesis de la escasez estructural futura se extiende hasta 2031
La conclusión principal de Citi es que la combinación de aprendizaje continuo, inteligencia artificial personal y inteligencia artificial física generará un crecimiento de la demanda que superará consistentemente la capacidad de la industria para aumentar capacidad calificada en los plazos relevantes. Se espera que los déficits de oferta y demanda del 8,7 % para DRAM y del 6,1 % para NAND en 2027 persistan en forma modificada durante varios años adicionales. La intensidad de capital, la complejidad técnica y la priorización de HBM sobre otros tipos de memoria crean barreras estructurales para un equilibrio rápido.
Como resultado, el mercado de memoria está posicionado para un período prolongado de precios elevados, disciplina en la asignación y fuerte generación de efectivo para los principales proveedores. El análisis proporciona un marco claro para comprender por qué las preocupaciones recientes sobre los rendimientos de la inversión en IA es poco probable que inviertan la escasez subyacente en semiconductores de memoria hasta el final de la década.
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Preguntas frecuentes
¿Qué significa exactamente aprendizaje continuo en el contexto de la demanda de memoria de la IA?
El aprendizaje continuo se refiere a sistemas de IA que actualizan constantemente sus modelos con nuevas tareas y conocimientos mientras mantienen el acceso a los datos previamente adquiridos. Este proceso requiere memoria de alta ancho de banda simultánea para actualizaciones de entrenamiento activas y una capacidad de almacenamiento sustancial para datos históricos, impulsando un crecimiento simultáneo de la demanda en HBM, DDR5 para servidores y SSD empresariales a partir de 2027, según el análisis de Citi.
¿De qué magnitud son los déficits proyectados de oferta y demanda para DRAM y NAND?
Citi pronostica relaciones de oferta y demanda de DRAM del -8,7 % en 2027 y del -9,7 % en 2028, con una demanda que crece un 30 % y un 35 % frente a un crecimiento de la oferta del 19 % y el 22 %. Para NAND, las relaciones se proyectan en -6,1 % y -5,5 % mientras la demanda aumenta un 29 % y un 33 % y la oferta se expande un 21 % y un 25 %.
¿Qué empresas destaca Citi como principales beneficiarias?
El banco nombra a Samsung Electronics, SK Hynix, Micron, SanDisk y Kioxia como sus principales selecciones de memoria, citando sus posiciones en HBM, DDR5 para servidores y almacenamiento empresarial de alta densidad. También se espera que los proveedores de equipos, como Applied Materials y Lam Research, se beneficien del aumento en el gasto de capital.
¿Por qué el aumento del gasto en capital no cerrará rápidamente la escasez?
Incluso con el gasto de capital en memoria aumentando un 46,5 por ciento hasta 80.400 millones de dólares en 2027, la capacidad greenfield requiere tiempos de anticipación de varios años para la construcción, la instalación de herramientas y la calificación de procesos. Las instalaciones existentes enfrentan limitaciones debido a la complejidad del empaquetado y transiciones tecnológicas más lentas, dejando la demanda de 2027 sin satisfacer por la oferta disponible.
¿Cómo interpreta Citi los recientes ajustes en las especificaciones de HBM?
El banco considera las posibles reducciones en el contenido de memoria por acelerador como una medida de eficiencia limitada por la oferta que permite enviar más aceleradores dentro de la disponibilidad limitada de HBM, y no como evidencia de una demanda debilitada. Las revisiones al alza en las previsiones de demanda de bits de HBM respaldan esta evaluación.
¿Qué papel desempeñan la inteligencia artificial personal y la inteligencia artificial física en la perspectiva a largo plazo?
Citi espera que estas aplicaciones creen un piso de demanda duradero al requerir el almacenamiento persistente del contexto del usuario y la almacenamiento continuo de datos de sensores. Una vez adoptadas ampliamente, se proyecta que mantendrán un consumo elevado de memoria incluso si las cargas de trabajo de entrenamiento puro se moderan, apoyando los déficits hasta 2031.
Descargo de responsabilidad: Este contenido es solo para fines informativos y no constituye asesoramiento de inversión. Las inversiones conllevan riesgos. Por favor, realiza tu propia investigación (DYOR).
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