A tecnologia de ligação híbrida da Samsung será utilizada no próximo acelerador de IA da NVIDIA, Feynman

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A Samsung está construindo uma linha de ligação híbrida Die-to-Wafer em Pyeongtaek P5 para chips HBM e lógica de próxima geração. A empresa comprará 50 máquinas da Besi a 60 bilhões de KRW cada. A SEMES já desenvolveu uma versão local. A tecnologia deverá alimentar o acelerador de IA NVIDIA Feynman com HBM personalizado. Notícias de IA + cripto mostram aumento na demanda por semicondutores. A produção em massa tem como alvo 2029–2030.

ChainThink mensagem: A Samsung Electronics já iniciou a construção da linha de produção de ligação híbrida Die-to-Wafer na fábrica Pyeongtaek P5, com o objetivo de utilizar para o empacotamento avançado de HBM e semicondutores lógicos da próxima geração.

Em termos de equipamentos, a Samsung prioriza a Besi da Holanda e planeja adquirir cerca de 50 máquinas de híbrido de ligação, cada uma custando aproximadamente 6 bilhões de won coreanos (cerca de 4,3 milhões de dólares americanos), um preço cerca de duas vezes maior que o dos concorrentes. Devido à exigência da Samsung por modificações personalizadas na arquitetura dos equipamentos, as negociações estão progredindo lentamente;

Ao mesmo tempo, a Besi também fornece à TSMC e à Micron, portanto adota uma postura cautelosa em relação a adaptar máquinas exclusivamente para a Samsung. A Samsung também está avaliando soluções locais alternativas; sua subsidiária SEMES já concluiu o desenvolvimento da máquina de hybrid bonding D2W e enviou amostras para validação no início deste ano;

A Hanwha Semitech concluiu o desenvolvimento da segunda geração "SHB2 Nano" em fevereiro e já enviou amostras à SK Hynix em abril.

O analista da Citrini, Jukan, afirmou que esta tecnologia é esperada para ser utilizada no próximo acelerador de IA da NVIDIA, o Feynman, que utilizará HBM personalizado;

A Samsung internamente prevê que a tecnologia relacionada só será aplicada em escala por volta de 2029 a 2030.

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