Citi: O Aprendizado Contínuo de IA Ampliará a Escassez de Memória Até 2031

2026/09/20 08:11:00

Citi alerta para uma escassez de memória de vários anos à medida que a IA entra na era do aprendizado contínuo

A Citi Research lançou uma análise detalhada em 14 de setembro de 2026, projetando que a transição dos sistemas de inteligência artificial para uma fase de aprendizado contínuo reestruturará fundamentalmente os padrões de demanda por memória de alta largura de banda, DDR5 para servidores e unidades de estado sólido empresariais. Essa transição move a IA além de modelos estáticos de treinamento e inferência para sistemas que atualizam continuamente o conhecimento e retêm dados anteriores, criando pressão sustentada sobre a oferta de memória. As previsões do banco mostram que as proporções de oferta e demanda de DRAM se tornarão fortemente negativas em 2027 e 2028, enquanto o NAND segue trajetória semelhante, com o desequilíbrio esperado para persistir até 2031.

Essas projeções chegam em meio a preocupações recentes do mercado sobre o retorno dos gastos em capital da IA e ajustes nas especificações de memória de alta largura de banda, mas o Citi interpreta o último como evidência de restrições de oferta, e não de demanda enfraquecida. Dados de apoio de rastreadores da indústria indicam que a memória já representa mais da metade da receita dos semicondutores nos últimos trimestres, reforçando a natureza estrutural da escassez. O aprendizado contínuo expandirá simultaneamente a demanda por HBM, DRAM de servidor e armazenamento empresarial a partir de 2027, superando os aumentos de capacidade viáveis e garantindo escassezes de vários anos que reconfigurarão o poder de precificação e as prioridades de investimento dos principais fornecedores de memória.

A demanda por HBM Bit projetada para aumentar 62 por cento em 2027 sob Aprendizado Contínuo

O relatório da Citi de 14 de setembro estima que a demanda por bits de memória de alta largura de banda aumentará 62% ano a ano, atingindo 75,2 bilhões de gigabits em 2027, antes de acelerar mais 69% para aproximadamente 127 bilhões de gigabits em 2028. Esses números aproximadamente dobram projeções anteriores e refletem os dois requisitos impostos pelo aprendizado contínuo: atualização de modelos e acesso persistente a dados históricos. As fontes de demanda se estendem além de um único fornecedor de acelerador; as necessidades de HBM da Broadcom devem aumentar de cerca de 9 bilhões de gigabits em 2026 para mais de 41 bilhões em 2028, enquanto as necessidades do Google crescem de aproximadamente 4,7 bilhões para 14 bilhões de gigabits no mesmo período.

No lado da oferta, a capacidade mensal de wafers é prevista para aumentar de 420.000 wafers em 2027 para 700.000, mas os envios acelerados de ASICs personalizados devem empurrar a relação oferta-procura de HBM para um déficit de 36 por cento até 2028. Os longos prazos de entrega para embalagem avançada e construção de novas fábricas limitam a velocidade de resposta, deixando o mercado estruturalmente curto mesmo com o aumento dos gastos em capital. Verificações da indústria citadas pelo banco confirmam que as consultas dos clientes para alocações de 2027-2028 continuam a intensificar-se, reforçando a visão de que os ajustes de especificação representam racionamento, e não fraqueza da demanda. Essa dinâmica posiciona o HBM como o principal gargalo para os sistemas de IA de próxima geração que precisam reter e aprimorar conhecimento ao longo de períodos operacionais prolongados.

Demanda por servidores DDR5 deve aumentar 51% à medida que o aprendizado contínuo se expande

A demanda global de DRAM deve aumentar 30,2% em 2027, enquanto a oferta cresce apenas 18,8%, gerando um déficit de oferta e demanda de 8,7% que se amplia para 9,7% em 2028, à medida que a demanda aumenta outros 35% contra um crescimento da oferta de 22%. Especificamente, o DRAM de servidor deve saltar 51%, passando de 226,3 bilhões de unidades (equivalente a 1Gb) em 2026 para 341,7 bilhões de unidades em 2027, representando aproximadamente 67% do consumo total de DRAM. O aprendizado contínuo impulsiona essa aceleração, pois os modelos exigem atualizações frequentes de parâmetros juntamente com acesso rápido ao conhecimento previamente adquirido, elevando o papel dos módulos DDR5 de servidor de alto desempenho.

A produção de HBM já está cannibalizando iniciativas de wafer que de outra forma apoiariam o DRAM convencional, enquanto transições mais lentas entre nós de tecnologia restringem ainda mais a produção. O Citi observa que mesmo aumentos agressivos nos gastos com capital não fecharão a lacuna de 2027, dadas as linhas de tempo de vários anos para capacidade greenfield. A escassez resultante deve sustentar ganhos contínuos nos preços médios de venda, com os preços combinados de DRAM projetados para aumentar 23,1% em 2027, após as conquistas extraordinárias registradas em 2026. Essas condições criam poder de precificação sustentado para fornecedores que mantêm posições líderes tanto em HBM quanto em memória de servidor de alto desempenho.

Crescimento da demanda por SSDs empresariais de 53 por cento ligado às necessidades de retenção de dados

A demand por unidades de estado sólido empresariais está projetada para aumentar 52,9 por cento em 2027, à medida que sistemas de aprendizado contínuo transferem cargas de trabalho de cache chave-valor para armazenamento externo e adotam configurações QLC de alta capacidade para servidores de IA. Esse crescimento decorre diretamente da necessidade de manter os dados previamente aprendidos enquanto os modelos continuam o treinamento em novas tarefas, um processo que multiplica a intensidade de armazenamento em comparação com cargas de trabalho de inferência estáticas. O Citi antecipa que a demanda total por NAND aumentará 29 por cento em 2027 e 33 por cento em 2028, superando o crescimento da oferta de 21 por cento e 25 por cento e produzindo razões oferta-demanda de menos 6,1 por cento e menos 5,5 por cento, respectivamente.

A capacidade de NAND da Samsung deve diminuir 4,7 percent no curto prazo, pois os recursos priorizam DRAM e HBM, limitando a expansão em toda a indústria. A combinação de redução da capacidade de HBM por acelerador, as tendências de offload de cache da Nvidia e o aumento das implantações pessoais e físicas de IA amplificam ainda mais os requisitos de eSSD. Mesmo com o gasto em capital de NAND aumentando 34,2 percent para 21,8 bilhões de dólares em 2027, os longos ciclos de construção e qualificação impedem o fechamento rápido da lacuna. Esses fatores convertem o armazenamento em uma restrição estrutural, e não cíclica, para a infraestrutura de IA.

Crescimento da oferta de DRAM limitado a 19 por cento em 2027 apesar do aumento do CAPEX

O Citi prevê que os gastos totais em capital de memória aumentem 46,5% para 80,4 bilhões de dólares em 2027, com os gastos apenas em DRAM subindo 51,6% para 58,6 bilhões de dólares. Espera-se que a Samsung aloque 20,6 bilhões de dólares, a SK Hynix 17,5 bilhões de dólares e a Micron 15,8 bilhões de dólares. Apesar dessa escala de investimento, as adições de capacidade greenfield enfrentam tempos de espera de vários anos para construção de salas limpas, instalação de equipamentos e qualificação de processos, tornando-as insuficientes para equilibrar a demanda de 2027. A migração tecnológica permanece mais lenta do que as normas históricas, e o empacotamento HBM consome recursos desproporcionais de wafers e montagem.

O banco conclui, portanto, que a oferta ficará atrás do crescimento da demanda de 30 por cento em 2027 e 35 por cento em 2028, consolidando déficits de 8,7 por cento e 9,7 por cento. Ciclos históricos de semicondutores mostram que, uma vez que os estoques caem abaixo dos níveis normais e a demanda permanece estruturalmente elevada, a escassez de preços e alocação pode persistir por vários anos. As métricas atuais de estoque já estão bem abaixo dos limiares tradicionais entre fornecedores, operadores de nuvem e canais, fornecendo suporte adicional à tese de escassez prolongada.

Restrições de capacidade NAND intensificam-se à medida que recursos são deslocados para HBM

A disposição para expansão de NAND em toda a indústria permanece contida, pois os principais fornecedores redirecionam capital e recursos de engenharia para HBM e DRAM de servidor de maior margem. A produção de NAND da Samsung deve contrair 4,7 por cento no curto prazo, enquanto o crescimento geral da oferta de 21 por cento em 2027 e 25 por cento em 2028 fica atrás dos aumentos na demanda de 29 por cento e 33 por cento. O aprendizado contínuo amplifica o desequilíbrio, elevando os requisitos de SSD empresarial para retenção de dados a longo prazo e descarregamento de cache.

O Citi projeta que os preços médios de venda de NAND aumentem 45,3 por cento em 2027, estendendo a forte trajetória de alta observada em 2026. Níveis baixos de estoque e estoques dos fornecedores em aproximadamente 2,6 semanas, contra uma base normal de cinco semanas, limitam ainda mais a capacidade da indústria de absorver picos de demanda. Essas condições criam um ciclo auto-reforçador no qual os aumentos de capacidade permanecem cautelosos até que preços elevados sustentados justifiquem investimentos mais amplos, alongando a janela de escassez bem além dos ciclos tradicionais.

A adoção de IA pessoal e IA física sustenta a extensão da escassez de vários anos

O Citi argumenta que a proliferação em larga escala do aprendizado contínuo, agentes de IA pessoais e sistemas de IA físicos fornecerão o piso fundamental da demanda que sustentará a suboferta até 2031. A IA pessoal exige memória persistente das interações e contexto do usuário, enquanto aplicações de IA física em robótica e sistemas autônomos geram fluxos contínuos de dados de sensores que devem ser armazenados e refinados. Esses casos de uso ampliam o mercado total endereçável para armazenamento de alta largura de banda e alta capacidade além dos clusters atuais de treinamento de hiperscalers.

A análise do banco indica que, uma vez que essas aplicações atinjam a massa crítica, as taxas de crescimento da demanda permanecerão elevadas, mesmo que as cargas de treinamento puras se moderem. As respostas do lado da oferta, limitadas pela intensidade de capital e complexidade técnica, não conseguem acompanhar essa trajetória dentro do horizonte de previsão. Consequentemente, o mercado de memória passa de uma recuperação cíclica para um superciclo estrutural caracterizado por déficits sustentados e preços elevados.

Principais fornecedores de memória posicionados para poder de precificação estrutural

Citi identifica a Samsung Electronics, SK Hynix, Micron, SanDisk e Kioxia como os principais beneficiários da apertada oferta projetada por vários anos. A Samsung e a SK Hynix detêm posições de liderança em ambos os HBM e DDR5 de alto desempenho para servidores, posicionando-as no centro do aumento da demanda. A Micron se beneficia de sua expansão na produção de HBM e da escala de DRAM, enquanto a SanDisk e a Kioxia capturam a oportunidade de SSD empresarial e NAND de alta densidade.

Fornecedores de equipamentos e materiais, incluindo Applied Materials, Lam Research, Montage, TES, Eugene Technology e TechWing, também são destacados como beneficiários indiretos do ciclo elevado de gastos com capital. A combinação de oferta restrita e aumento dos preços médios de venda deve se traduzir em margens expandidas e geração de fluxo de caixa para essas empresas ao longo do restante da década. Os dados de mercado já mostram que a memória contribui com mais de 50 por cento da receita de semicondutores nos últimos trimestres, confirmando o papel desproporcional do setor na construção da infraestrutura de IA.

Receitas de semicondutores no Q2 batem recordes, reforçando a força do setor de memória

De acordo com dados da Omdia citados em conjunto com a análise do Citi, a receita global de semicondutores atingiu um recorde histórico acima de 425 bilhões de dólares no segundo trimestre de 2026, com memória representando 54 por cento do total, pela primeira vez superando metade das vendas do setor. O setor registrou quatro trimestres consecutivos de crescimento sequencial de dois dígitos, uma raridade nos dados históricos que abrangem quase 100 trimestres.

O investimento em infraestrutura de IA está impulsionando a demanda não apenas por HBM e DRAM, mas também por componentes associados não de memória. Esses números fornecem suporte empírico para a afirmação do Citi de que o ciclo atual difere das recuperações anteriores de memória impulsionadas principalmente por eletrônicos de consumo. A contribuição sustentada da memória para o crescimento geral dos semicondutores reforça a visão de que as restrições de oferta permanecerão limitantes à medida que as cargas de trabalho de aprendizado contínuo aumentarem.

Aumento de 46,5% nos gastos de capital ainda insuficiente para o equilíbrio de 2027

Mesmo com o gasto global em capital de memória projetado para aumentar 46,5% para 80,4 bilhões de dólares em 2027, o Citi conclui que o momento das adições de capacidade deixará o mercado em curta. Os gastos com DRAM devem atingir 58,6 bilhões de dólares e com NAND, 21,8 bilhões de dólares, mas projetos greenfield exigem anos desde o início das obras até a produção em volume qualificado.

As instalações existentes enfrentam limitações devido aos prazos de fornecimento de equipamentos, à disponibilidade de mão de obra qualificada e à complexidade técnica do empacotamento avançado exigido para HBM. O banco mantém, portanto, que o crescimento da oferta de 19 por cento para DRAM e 21 por cento para NAND em 2027 não conseguirá acompanhar os respectivos aumentos na demanda. Esse descompasso prepara o cenário para continuidade da escassez de alocação e força de preços nos anos subsequentes, independentemente das flutuações de curto prazo no sentimento sobre gastos em capital de IA.

Ajustes do Despec interpretados como racionamento de oferta em vez de fraqueza da demanda

O debate recente em torno de possíveis reduções nas especificações de memória de alta largura de banda por acelerador foi interpretado por alguns participantes do mercado como um sinal de demanda em resfriamento. O Citi adota a visão oposta, caracterizando os ajustes como uma resposta racional à disponibilidade limitada de HBM, que permite aos fabricantes de chips maximizar o número de aceleradores enviados dentro da oferta restrita.

A revisão positiva da previsão de demanda por bits HBM pelo banco, aproximadamente dobrando as estimativas anteriores, sustenta essa interpretação. As consultas dos clientes para alocações de 2027 e 2028 continuam a aumentar, e os principais programas de silício personalizado na Broadcom e no Google mostram expansão, e não contração, da pegada de memória. Essas observações indicam que a trajetória subjacente da demanda permanece intacta e que as alterações de especificação representam alocação eficiente de recursos sob condições de escassez.

Os níveis de estoque permanecem estruturalmente baixos em toda a cadeia de suprimentos

Os estoques de fornecedores, provedores de nuvem e canais para ambos DRAM e NAND estão bem abaixo dos níveis históricos, segundo dados da indústria mencionados junto com o relatório do Citi. Os estoques de fornecedores de NAND são estimados em cerca de 2,6 semanas, contra um nível normal de cinco semanas, enquanto os estoques na nuvem permanecem em torno de três semanas, contra uma base de sete semanas. Os estoques nos canais também permanecem comprimidos. Esses níveis baixos deixam pouco espaço para absorver acelerações na demanda provenientes de cargas de trabalho de aprendizado contínuo.

Em ciclos anteriores, a reconstrução de estoques exigiu vários trimestres de produção elevada; sob as taxas projetadas de crescimento da demanda, essa reconstrução torna-se ainda mais difícil. A ausência de estoques excedentes, portanto, amplifica o impacto de qualquer aumento na demanda, reforçando a perspectiva de escassez multi-anual até 2031.

Tese da Escassez Estrutural Futura se Estende até 2031

A conclusão principal do Citi é que a combinação de aprendizado contínuo, IA pessoal e IA física gerará crescimento da demanda que consistentemente supera a capacidade da indústria de adicionar capacidade qualificada nos prazos relevantes. Déficits de oferta e demanda de 8,7 por cento para DRAM e 6,1 por cento para NAND em 2027 são esperados para persistir em forma modificada por vários anos adicionais. A intensidade de capital, a complexidade técnica e a priorização do HBM em relação a outros tipos de memória criam barreiras estruturais para um equilíbrio rápido.

Como resultado, o mercado de memória está posicionado para um período prolongado de preços elevados, disciplina na alocação e forte geração de caixa para os principais fornecedores. A análise fornece um quadro claro para entender por que as preocupações recentes sobre os retornos dos investimentos em IA são pouco prováveis de reverter a escassez subjacente nos semicondutores de memória até o final da década.

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Perguntas frequentes

O que exatamente significa aprendizado contínuo no contexto da demanda de memória da IA?

A aprendizagem contínua refere-se a sistemas de IA que atualizam continuamente seus modelos com novas tarefas e conhecimentos, mantendo o acesso aos dados previamente adquiridos. Esse processo exige memória de alta largura de banda simultânea para atualizações de treinamento ativas e grande capacidade de armazenamento para dados históricos, impulsionando o crescimento simultâneo da demanda por HBM, DDR5 de servidor e SSDs empresariais a partir de 2027, segundo a análise do Citi.

Quão grandes são os déficits projetados de oferta e demanda para DRAM e NAND?

O Citi prevê razões de oferta-procura de DRAM de -8,7% em 2027 e -9,7% em 2028, com a demanda crescendo 30% e 35% contra o crescimento da oferta de 19% e 22%. Para NAND, as razões são projetadas em -6,1% e -5,5%, à medida que a demanda aumenta 29% e 33%, enquanto a oferta se expande 21% e 25%.

Quais empresas o Citi destaca como principais beneficiárias?

O banco cita as empresas Samsung Electronics, SK Hynix, Micron, SanDisk e Kioxia como suas principais escolhas em memória, destacando suas posições em HBM, DDR5 para servidores e armazenamento empresarial de alta densidade. Fornecedores de equipamentos, como Applied Materials e Lam Research, também devem se beneficiar com o aumento nos gastos de capital.

Por que o aumento nos gastos com capital não resolverá rapidamente a escassez?

Mesmo com os gastos de capital em memória aumentando 46,5 por cento para 80,4 bilhões de dólares em 2027, a capacidade greenfield exige períodos de antecipação de vários anos para construção, instalação de equipamentos e qualificação de processos. As instalações existentes enfrentam restrições devido à complexidade do empacotamento e transições tecnológicas mais lentas, deixando a demanda de 2027 sem correspondência na oferta disponível.

Como o Citi interpreta os recentes ajustes na especificação HBM?

O banco considera possíveis reduções no conteúdo de memória por acelerador como uma medida de eficiência limitada pela oferta, que permite enviar mais aceleradores dentro da disponibilidade limitada de HBM, e não como evidência de enfraquecimento da demanda. Revisões positivas nas previsões de demanda por bits de HBM sustentam essa avaliação.

Qual papel os IA pessoais e IA física desempenham na perspectiva de longo prazo?

O Citi espera que essas aplicações criem um piso de demanda duradouro ao exigir memória persistente do contexto do usuário e armazenamento contínuo de dados de sensores. Uma vez amplamente adotadas, projeta-se que sustentem o consumo elevado de memória mesmo que as cargas de treinamento puros se moderem, apoiando escassez até 2031.

Disclaimer: Este conteúdo é apenas para fins informativos e não constitui aconselhamento financeiro. Investimentos envolvem risco. Faça sua própria pesquisa (DYOR).

Aviso legal: Esta página foi traduzida usando tecnologia de IA para sua conveniência. Para informações mais precisas, consulte a versão original em inglês.